附图气体放电管的各种电气特性，你知道吗？（上）
名称 概念 特性图 气体放电管 气体放电管的各种电气特性，如直流击穿电压、冲击击穿电压、耐冲击电流、耐工频电流能力和使用寿命等，可根据使用要求进行调整系统优化。这种调整通常通过改变气体类型、压力、电极涂层材料成分和放电管中电极之间的距离来实现。有两种类型的气体放电管：二极管放电管和三极管放电管。一些气体放电管有电极引线，而另一些则没有。固体放电管 固体放电管又称半导体放电管：是一种过电压保护器件，采用晶闸管原理制成。它依靠PN结的击穿电流触发器件的导通和放电，可以流过很大的浪涌电流。或脉冲电流。其击穿电压范围构成过压保护范围。使用固体放电管时，可直接连接到被保护电路的两端。固体放电管是由多层PN结构组成的晶闸管结构，因此具有响应速度快、通态电压低、通态电压低、电流能量大、无老化故障、无极性双向保护、产品一致性好等特点和稳定性 性能远优于气体放电管和压敏电阻。晶闸管 ( , SCR)。自1950年代创立以来，已发展成为一个大家族，其主要成员为单向晶闸管、
晶闸管与电源之间的这种连接称为正向连接，即正向电压加在晶闸管的阳极和控制电极上。打开电源开关S，小灯泡不亮，说明晶闸管不导通；再次按下按钮开关SB，向控制电极输入触发电压，小灯泡亮，表示晶闸管导通。为了使晶闸管导通，一种是在其阳极之间施加一个正向电压，另一种是在其控制电极G和阴极之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍保持导通状态。压敏电阻“压敏电阻” 是一种具有非线性伏安特性的电阻器件。主要用于电路受到过压时的电压钳位，吸收过电流保护敏感器件。英文名称为“”，缩写为“VDR”，即“”。压敏电阻的电阻材料是半导体，所以是各种半导体电阻。现在广泛使用的“氧化锌”（ZnO）压敏电阻的主体材料是由二价元素锌（Zn）和六价元素氧（O）组成。所以从材料上看，氧化锌压敏电阻是一种“-族氧化物半导体”。在中国台湾，压敏电阻器被称为“浪涌吸收器”，有时也称为“
用于电子电路的过电压保护的响应速度可以满足要求。根据使用目的，压敏电阻可分为保护用压敏电阻和电路功能用压敏电阻两大类。电阻器属于这一类。大功率型：指用于吸收周期性出现的连续脉冲群的压敏电阻，如与开关电源转换器并联的压敏电阻，其脉冲电压周期性出现，且周期已知，其能量值可以一般可以计算，电压的峰值并不大，但由于发生频率高，其平均功率相当大。高能型：指用于吸收发电机励磁线圈、起重电磁铁线圈等大型感应线圈中的磁能的压敏电压装置。对于此类应用，主要技术指标是能量吸收能力。
压敏电阻的保护功能在大多数应用中可以重复多次，但有时也像电流保险丝一样做成“一次性”保护装置。例如，带有短路触点的压敏电阻与某些电流互感器负载并联。瞬态抑制二极管 瞬态抑制二极管或瞬态电压抑制二极管是在稳压管技术基础上开发的新产品。当TVS管两端受到瞬间高能冲击时，能以极高的速度（最高1*10-12秒）突然降低阻抗，同时吸收大电流钳位其两端之间的电压。在预定值，从而保证后续电路元件不被瞬态高能冲击损坏。当 TVS 二极管受到高瞬态能量冲击时，它们可以在微秒内吸收浪涌电流和电压，从而保护电气设备。TVS管具有体积小、响应时间快的特点。广泛应用于家用电器、仪器仪表、通讯设备、计算机、安防、卫星导航等设备的防雷击、防过压、防静电、抗干扰。TVS二极管的正向特性与普通二极管相同；反向特性是 PN 结雪崩器件的典型特征。TVS器件按极性可分为单极和双极，按用途可分为适用于各种电路的通用器件和适用于特殊电路的专用器件。
瞬态抑制二极管在超过其耐压值时会瞬间导通短路。主要用于抑制瞬态电压尖峰，减少尖峰电压引起的元器件损耗。双向击穿二极管又称瞬态电压抑制二极管开关型浪涌保护器，是一种具有双向稳压特性和双向负阻特性的过压保护器件，类似于压敏电阻。它用于各种交流和直流电源电路中，以抑制瞬态过电压。当被保护电路瞬间出现浪涌脉冲电压时，双向击穿二极管能快速齐纳击穿，由高阻态变为低阻态，对浪涌电压进行分流和钳位，以保护电路中的元件不受损坏。瞬态浪涌脉冲电压损坏。齐纳二极管 齐纳二极管，英文名称，又称齐纳二极管 这种二极管是一种具有高电阻直到临界反向击穿电压的半导体器件。在这个临界击穿点，反向电阻降低到一个很小的值，在这个低电阻区域，电流增加而电压保持恒定。稳压二极管按击穿电压分类。由于这个特性，齐纳二极管主要用作电压调节器或电压基准。使用组件。二极管一般工作在正向电压下，稳压二极管工作在反向击穿状态。两个稳压二极管反向串联后，它们可以保护与它们并联的电路免受过压。当电路过压时，稳压二极管首先击穿。稳压管用于电压调节。如果超过它的稳压值开关型浪涌保护器，只要功率不超过它的容差值，就会稳定在它的稳压值范围内。
稳压二极管的特点是击穿后，其两端的电压基本保持不变。整流二极管 整流二极管是一种半导体器件，用于将交流电转换为直流电。通常它由一个带有阳极和阴极端子的 PN 结组成。P区的载流子是空穴，N区的载流子是电子，在P区形成一定的势垒。当P区相对于N区施加正电压时，势垒降低，在势垒两侧附近产生存储载流子，可通过大电流，压降低（典型值）为0.7V)，称为正向导通状态。如果施加相反的电压以增加势垒，它可以承受很高的反向电压，流过很小的反向电流（称为反向漏电流），称为反向阻断状态。. 整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可由半导体锗或硅等材料制成。硅整流二极管击穿电压高，反向漏电流小，高温性能好。通常高压大功率的整流二极管都是用高纯度的单晶硅制成的（掺杂多了容易反向击穿）。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路。要实现全波整流，必须将它们连接起来形成整流桥。PN结具有单向导电性，正向电阻小，反向电阻大。当反向电压增加到一定值时，反向电流突然增大。是反向电击穿。分为雪崩击穿和齐纳击穿（杂质浓度特别大）。
