光伏熔断器中熔断体的补充要求

半导体设备保护用熔断体的补充要求

本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，熔断体的额定电压不超过交流1000V或标称电压不超过直流1500V.如果适用,还可以用于更高的标称电压的电路。

1.2.1熔断体特性：

a)额定值；

c)正常工作时的温升；

d)耗散功率；

e)时间-电流特性；

D分断能力；

g)截断电流特性和I²t特性；

h)电弧电压极限值；

2.2用于验证熔断体特性的型式试验

熔断体标志

产品标准： GB13539.1-2008《低压熔断器第1部分：基本要求》       

GB13539.2-2008《低压熔断器第2部分：专职人员使用熔断器的补充要求》                           

IEC60269-1-2006《低压熔断器第1部分：一般要求》、     

IEC60292-2-2010《低压熔断器第2部分：指定人员使用的熔断器（主要是工业用熔断器）的补充要求》

光伏熔断器极数: 1P

光伏熔断器的额定工作电压 : DC 1000V

光伏熔断器的额定电流 :  1-32A

光伏熔断器的短路分断能力 :  20kA/33kA

光伏熔断器的最大耗损功率  3.5W

光伏熔断器的防护等级  : IP40(正面) IP20(端子)

光伏熔断器的使用环境温度 :-30℃—70℃应用领域

光伏熔断器适用于工作电压高达1000VDC的光伏应用领域也可用于其它任何直流电路中

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